2xnm世代のCMOSロジック製造技術によって記憶容量が40Mビット（5Mバイト）の埋め込みMRAMマクロを試作した結果を報告する後編である。ここでは、長期信頼性（書き換えサイクル数とデータ保持期間）とはんだ付け耐熱性に関する試験結果を紹介する。