インフィニオン、パナと第2世代GaNパワー半導体を共同開発へ

Infineon Technologies(以下、Infineon)とパナソニックは2021年9月2日(ドイツ時間)、窒化ガリウム(GaN)パワー半導体の第2世代(Gen2)を共同開発/製造する契約を締結したと発表した。Gen2は650VのGaN HEMTとして開発。2023年前半に市場投入予定だ。