2017年度の半導体デバイス技術に関する国際学会「IEDM 2017」が去る12月2日～6日に米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催され、韓国SK Hynixが、「Breakthrough of Selector Technology for Cross-Point 25nm ReRAM」と題し、一般的な材料で3次元積層ReRAMのセル選択素子を構成できる技術の発表を行った。