フラッシュメモリや相変化メモリ(PCM)、抵抗変化メモリ(ReRAM)などの不揮発性メモリは、最近まで、加工寸法の微細化によってメモリセルを小さくし、膨大な数のメモリセル(メモリセルアレイ)をシリコン表面と平行な方向(横方向)に詰め込むことで、記憶密度と記憶容量を高めてきた。微細化が大容量化のおもな手段だった。