【福田昭のセミコン業界最前線】 微細化に頼らずに大容量化を進める次世代DRAM技術

 DRAMの微細化が行き詰まっている。微細化を阻むのは、メモリセルの選択用トランジスタとセルキャパシタの両方だ。DRAMのメモリセルは、セル選択用トランジスタであるMOS FETと電荷蓄積用キャパシタで構成される。メモリセル面積をなるべく小さくするには、かつては微細化(加工寸法の縮小)が有力な手段だった。しかし2000…