次世代不揮発性メモリ技術の有力候補である相変化メモリ(PCM)は、「熱に弱い」とされてきた。PCMは電気ヒーターによって記憶素子を加熱することで、データ(抵抗値)を書き換える。低抵抗状態(LRS)から高抵抗状態(HRS)に書き換えるとき(リセット動作)には非常に高い温度に短い時間で加熱し、急冷する。逆にHRSからLRSに書…