【福田昭のセミコン業界最前線】 過激さを増す3D NANDの開発競争、“5bit/セル”技術も登場 ~セル分割の駆使や800層積層も視野に

 3D NANDフラッシュメモリ(3D NANDフラッシュ)の高密度化技術が過激さを増している。3D NANDフラッシュの高密度化と大容量化は、メモリセルを垂直方向に積層(3次元積層)する数(ワード線の積層数)を増やすことより、おもに実現されてきた。この3次元積層技術と、多値記憶技術(1個のメモリセルに複数のビットを記憶する技術…