強誘電体不揮発性メモリの研究開発が現実の壁にぶつかっている。本コラムで以前に述べたように(新材料の発見で「大逆転」を狙う強誘電体メモリ参照)、製造技術で20nm以下の微細化を可能とする強誘電体材料「ハフニウム酸化物」の発見が、8年前の2011年12月に国際学会IEDMでドイツの研究機関Fraunhofer Instituteによって…