3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。垂直に連なるセルトランジスタの積層数、あるいはワード線の積層数は最大で、176層に達した。一昨年(2019年)の春には最大で128層だったので、2年間で積層数は1.375倍に増加した。