3D NANDフラッシュメモリの記憶密度(シリコン面積当たりの記憶容量)を高める重要な手法に、「多値記憶」がある。通常の半導体メモリでは、1個のメモリセルに1bitのデータを記憶する。メモリセルの数と、記憶可能なビット数は等しい。例えばDRAMは、1Gbitを記憶するために、少なくとも1G(1,024×1,024×1,024=2の30乗)個の…