【福田昭のセミコン業界最前線】 1mm角のシリコンに15Gbitを詰め込む超々高密度の3D NANDフラッシュ技術

 昨年(2021年)4月2日付けの本コラム「1mm角に10Gbitを詰め込む超高密度の3D NANDフラッシュ技術」では、同年2月の時点で3D NANDフラッシュメモリの記憶密度が1平方mm当たりで10Gbitを超えたこと、記憶密度は1年で1.41倍のペースで向上してきたことを述べた。