3D(3次元)NANDフラッシュメモリの高密度化手法が、転換を迫られつつある。従来の高密度化を支える要素技術は近い将来に、限界に達すると見込まれているからだ。新たな要素技術の導入や転換などが、2025年～2030年には本格化する可能性が少なくない。