【福田昭のセミコン業界最前線】 2030年に1,000層の「超高層セル」を実現するSamsungの3D NAND技術

 3D NANDフラッシュメモリの高層化が止まらない。2013年に24層(ワード線の積層数)で始まった3D NANDフラッシュメモリの積層数は、9年後の2022年には約10倍の236層に達した。翌年(2023年)には、321層の3D NANDフラッシュメモリ(以降は3D NANDフラッシュと表記)の開発が発表されている(参考記事)。