NANDフラッシュメモリ大手のキオクシアは、従来に比べて3D NANDフラッシュメモリの記憶密度を2倍に高めるアーキテクチャを開発し、メモリセルの試作結果を国際学会「IEDM」で2024年12月11日(米国時間)に発表した(講演および論文番号30-1)。キオクシアは開発したアーキテクチャを「HCF(Horizontal Channel Flash)」と呼称…