Samsung、3nmプロセスで独自のGAAFET構造「MBCFET」採用へ ~6nmは年内、5nmを2020年より量産開始

 韓国Samsung Electronicsは15日、「Samsung Foundry Forum 2019 USA」にて、3nm Gate-All-Around(GAA)プロセス「3GAE」のプロセスデザインキット(PDK)バージョン0.1の公開を発表した。