Intelは、22nm世代の低消費電力ロジック用プロセス「22FFL(FinFET Low Power)」に埋め込めるMRAM(磁気抵抗メモリ)技術を開発し、その概要を国際学会IEDM(米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催)で12月4日(現地時間)に公表した(講演番号および論文番号は18.1)。