SK Hynixは、3次元のクロスポイント構造を採用することよって128Gbitと大きな記憶容量を実現した不揮発性メモリを開発し、その技術概要を国際学会IEDM(米国カリフォルニア州サンフランシスコで開催)で12月5日(現地時間)に公表した(講演番号および論文番号は37.1)。