IBMとMacronix Internationalの共同研究グループは、相変化メモリ(PCM)を記憶素子とするクロスポイント構造の大容量不揮発性メモリ技術の開発成果を国際学会「VLSIシンポジウム」(技術講演会は6月11日～6月13日に京都で開催)で6月11日に発表し、1Tbit/ダイと大きな記憶容量を6層の3次元積層クロスポイント技術と1Znm世代…