IntelとIBMはそれぞれ、大規模マイクロプロセッサのキャッシュに応用することを想定したSTT-MRAM(スピン注入磁気メモリ)技術を開発し、その概要を2019年12月9日に国際学会「IEDM 2019(2019年国際電子デバイス会議)」で報告した。いずれも、3次(L3)キャッシュやL4キャッシュなどのラストレベルキャッシュ(LLC)に向けたSTT…