Samsung Electronics(以降Samsung)は、記憶容量が1Gbit(128MB)と非常に大きな埋め込みMRAMを開発し、その技術概要を米カリフォルニア州サンフランシスコで開催された国際学会「IEDM」にて、2019年12月9日(現地時間)に発表した(講演番号および論文番号は2.2)。