半導体製造装置のディスコは、省エネ性能が高い半導体材料の「窒化ガリウム（GaN）」を切断する新装置を開発した。1時間あたりの半導体ウエハー生産枚数を従来の6倍に引き上げられる。2024年中に試作装置を開発し、実用化を目指す。ディスコの新装置はGaNの塊の上から内部にレーザーを照射する方式。窒素とガリウムに分解…