EV用SiCパワー半導体で日本超え狙う欧州、低コスト品を早期投入へ

 電力損失を大幅に削減できるパワー半導体のSiCにおいて、欧州企業が早ければ24年までに、口径200mmの基板を利用して量産する。現在主流の口径150mm基板に比べて生産性を高め、SiCの積年の課題であるコストを大幅に下げる。